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1N5818WB

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Semtech

  • 原厂封装

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • 1N5818WB
    1N5818WB

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 9650

  • ST

  • SOD123

  • 08+

  • -
  • 绝对公司原装现货

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  • 1
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  • 制造商
  • EIC
  • 制造商全称
  • EIC discrete Semiconductors
  • 功能描述
  • SCHOTTKY BARRIER DIODES
1N5818WB 技术参数
  • 1N5818-TP 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):550mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5818-T 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):550mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同?Vr,F 时的电容:110pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5818RLG 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):550mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:轴向 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5818RL 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):550mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:轴向 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:5,000 1N5818M-13 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A MELF 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):550mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 30V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB,MELF(玻璃) 供应商器件封装:MELF 工作温度 - 结:-60°C ~ 125°C 标准包装:5,000 1N5819-B 1N5819-E3/51 1N5819-E3/53 1N5819-E3/54 1N5819-E3/73 1N5819G 1N5819-G 1N5819HA0G 1N5819HB0G 1N5819HR0G 1N5819HR1G 1N5819HW1-7-F 1N5819HW-7 1N5819HW-7-F 1N5819M-13 1N5819RL 1N5819RLG 1N5819-T
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