1N4001GP-E3/73

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N4001GP-E3/73
深圳市崧晔达科技有限公司
深圳市崧晔达科技有限公司
联系人：苑小姐
电话：13926591096
地址：深圳市福田区新亚洲二期N1A160
资质：营业执照
45
VISHAY
N/A
15+
-
只做原装，实单来谈

1N4001GP-E3/73
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

1N4001GP-E3/73
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
5921
Vishay Semiconductors
标准封装
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

1N4001GP-E3/73
北京力通科信电子有限公司
北京力通科信电子有限公司
联系人：韩小姐
电话：13661385246
地址：北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室，新中发电子市场B1303-b1305柜台
45
VISHAY
N/A
15+
-
13661385246进口原装现货。最新...

1/1页 40条/页共10条
1

您是不是要找： 1N4001GPE-E3/54 1N4001GPE-E3/73 1N4001GPE-E3/91 1N4001GPEHE3/54 1N4001GPEHE3/73 1N4001GPEHE3/91 1N4001GPE-M3/54 1N4001GPE-M3/73 1N4001GPHE3/54

1N4001GP-E3/73 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

1N4001GP-E3/73 PDF下载

功能描述
整流器 Vr/50V Io/1A Glass Passivated
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

1N4001GP-E3/73 技术参数

1N4001GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N4001GP 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C 标准包装:25,000 1N4001GL-T 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:5,000 1N4001GHR1G 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 1N4001GHR0G 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 1N4001GPHE3/73 1N4001GPHM3/54 1N4001GP-M3/54 1N4001GP-M3/73 1N4001G-T 1N4001L-T 1N4001RL 1N4001RLG 1N4001-T 1N4001TA 1N4001-TP 1N4002 1N4002 BK 1N4002 TR 1N4002/54 1N4002_NL 1N4002B-G 1N4002-E3/53