1N1183RD/C89

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N1183RD/C89
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：谭玉丽
电话：19129491949(手机优先微信同号)0755-83267816
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
4800
ST
ROHS
13+
-
全新原装现货库存！400-800-030...

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： 1N1184 1N1184A 1N1184AR 1N1184R 1N1185 1N1185A 1N1185AR 1N1185R 1N1186

1N1183RD/C89 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

1N1183RD/C89 技术参数

1N1183R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 190°C 标准包装:5 1N1183AR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 40A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:5 1N1183A 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:40A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 40A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-203AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:5 1N1183 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:35A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 35A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-203AB 工作温度 - 结:-65°C ~ 190°C 标准包装:5 1N1128RA 功能描述:STANDARD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N1186A 1N1186AR 1N1186R 1N1187 1N1187A 1N1187AR 1N1187R 1N1188 1N1188A 1N1188AR 1N1188R 1N1189 1N1189A 1N1189AR 1N1189R 1N1190 1N1190A 1N1190AR