IRF7759L2TR1PBF

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IRF7759L2TR1PBF
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
DIRECTFET L8
19+
-
代理直销！进口原装正品！

IRF7759L2TR1PBF
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

IRF7759L2TR1PBF
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
Internation.Rectifer
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

IRF7759L2TR1PBF
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
IRF
DIRECTFET L8
17+
-
原装现货，优势供应

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功能描述
MOSFET 75V 160A 2.3mOhm 220nC Qg
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

IRF7759L2TR1PBF 技术参数

IRF740 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 5.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1400pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF730 功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF640,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1850pF @ 25V 功率 - 最大值:136W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF640 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:180 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1560pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 IRF630FP 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 IRF7805A IRF7805APBF IRF7805ATR IRF7805ATRPBF IRF7805PBF IRF7805QTRPBF IRF7805TRPBF IRF7805ZGTRPBF IRF7805ZPBF IRF7805ZTRPBF IRF7807 IRF7807A IRF7807APBF IRF7807ATR IRF7807ATRPBF IRF7807D1 IRF7807D1PBF IRF7807D1TR