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CY7C141-25JC

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功能描述
IC SRAM 8KBIT 25NS 52PLCC
RoHS
否
类别
集成电路 (IC) >> 存储器
系列
-
标准包装
96
系列
-
格式 - 存储器
闪存
存储器类型
FLASH
存储容量
16M（2M x 8，1M x 16）
速度
70ns
接口
并联
电源电压
2.65 V ~ 3.6 V
工作温度
-40°C ~ 85°C
封装/外壳
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商设备封装
48-TSOP
包装
托盘

CY7C141-25JC 技术参数

CY7C14121KV18-300BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 2M X 18 1.8V QDR II 静态随机存取存储器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1411SV18-250BZC 功能描述:静态随机存取存储器 NV静态随机存取存储器 250 MHz 1.8V RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1411KV18-300BZC 功能描述:静态随机存取存储器 36MB (4Mx8) 1.8v 300MHz QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1411KV18-250BZC 功能描述:静态随机存取存储器 36Mb QDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1411BV18-250BZC 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx36 QDR II Burst 4 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1412BV18-167BZC CY7C1412BV18-167BZXI CY7C1412BV18-200BZC CY7C1412BV18-200BZI CY7C1412BV18-200BZXC CY7C1412BV18-250BZC CY7C1412BV18-250BZXC CY7C1412KV18-250BZC CY7C1412KV18-250BZCT CY7C1412KV18-250BZI CY7C1412KV18-250BZXC CY7C1412KV18-250BZXI CY7C1412KV18-300BZC CY7C1412KV18-300BZXC CY7C1412KV18-300BZXI CY7C1412KV18-333BZC CY7C1412KV18-333BZXI CY7C1412SV18-200BZC