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BZX84C2V4T/R

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  • 深圳市湘达电子有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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BZX84C2V4T/R 技术参数
  • BZX84C2V4S-7-F 功能描述:Zener Diode Array 2 Independent 2.4V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 配置:2 个独立式 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BZX84C2V4S-7 功能描述:Zener Diode Array 2 Independent 2.4V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 配置:2 个独立式 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 BZX84C2V4LT3G 功能描述:Zener Diode 2.4V 225mW ±8% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4V 容差:±8% 功率 - 最大值:225mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标准包装:10,000 BZX84C2V4LT1G 功能描述:Zener Diode 2.4V 225mW ±8% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4V 容差:±8% 功率 - 最大值:225mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标准包装:1 BZX84C2V4LT1 功能描述:Zener Diode 2.4V 225mW ±8% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4V 容差:±8% 功率 - 最大值:225mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标准包装:10 BZX84-C2V7/DG/B3,2 BZX84-C2V7/LF1R BZX84-C2V7/LF1VL BZX84C2V7-7 BZX84C2V7-7-F BZX84C2V7-E3-08 BZX84C2V7-E3-18 BZX84C2V7-G3-08 BZX84C2V7-G3-18 BZX84C2V7-HE3-08 BZX84C2V7-HE3-18 BZX84C2V7LFHT116 BZX84C2V7LT1 BZX84C2V7LT1G BZX84C2V7S-7 BZX84C2V7S-7-F BZX84C2V7T-7-F BZX84C2V7-TP
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