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BZT52-C3V9ST/R

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  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
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    联系人:李燕兵

    电话:82525918

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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    联系人:唐先生

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  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
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    联系人:苗凤军

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    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

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BZT52-C3V9ST/R 技术参数
  • BZT52C3V9S-7-F 功能描述:Zener Diode 3.9V 200mW ±5% Surface Mount SOD-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标准包装:1 BZT52C3V9S-7 功能描述:Zener Diode 3.9V 200mW ±5% Surface Mount SOD-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 标准包装:1 BZT52C3V9S RRG 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2.7μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-90,SOD-323F 供应商器件封装:SOD-323F 标准包装:3,000 BZT52C3V9LP-7 功能描述:Zener Diode 3.9V 250mW ±5% Surface Mount 2-DFN1006 (1.0x0.6) 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:250mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:2-XFDFN 供应商器件封装:2-DFN1006(1.0x0.6) 标准包装:1 BZT52C3V9K RKG 功能描述:DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD523F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-79,SOD-523 供应商器件封装:SOD-523F 标准包装:3,000 BZT52C43-E3-08 BZT52C43-E3-18 BZT52C43-G RHG BZT52C43-G3-08 BZT52C43-G3-18 BZT52C43-HE3-08 BZT52C43-HE3-18 BZT52-C43J BZT52C43K RKG BZT52C43S RRG BZT52C43-TP BZT52-C43X BZT52C47 RHG BZT52C47-13 BZT52C47-7 BZT52C47-7-F BZT52C47-E3-08 BZT52C47-E3-18
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