BYG10G-E3/TR3全国供应商【买卖IC网】BYG10G-E3/TR3资料|PDF Datasheet|价格 Vishay

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批号
价格
说明
操作

BYG10G-E3/TR3
优势
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4973
VISHAY
DO-214
2206+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

BYG10G-E3/TR3
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
56200
VISHAY
DO-214
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

BYG10G-E3/TR3
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
7673
Vishay Semiconductors
标准封装
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

BYG10G-E3/TR3
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
7500
GENERAL SEMICONDUCTOR (VI
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

BYG10G-E3/TR3
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4644
VISHAY
DO-214
2235+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
整流器 1.5 Amp 400 Volt
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

BYG10G-E3/TR3 技术参数

BYG10G-E3/TR 功能描述:Diode Avalanche 400V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.15V @ 1.5A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:DO-214AC（SMA）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 BYG10D-M3/TR3 功能描述:Diode Avalanche 200V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.15V @ 1.5A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:DO-214AC（SMA）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:7,500 BYG10D-M3/TR 功能描述:Diode Avalanche 200V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.15V @ 1.5A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:DO-214AC（SMA）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,800 BYG10DHM3_A/I 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.15V @ 1.5A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:DO-214AC（SMA）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:7,500 BYG10DHM3_A/H 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:雪崩电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.15V @ 1.5A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:DO-214AC（SMA）工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,800 BYG10G-M3/TR3 BYG10J/TR BYG10J-E3/TR BYG10J-E3/TR3 BYG10JHE3/TR BYG10JHE3/TR3 BYG10JHE3_A/H BYG10JHE3_A/I BYG10JHM3/TR BYG10JHM3/TR3 BYG10JHM3_A/H BYG10JHM3_A/I BYG10J-M3/TR BYG10J-M3/TR3 BYG10K-E3/TR BYG10K-E3/TR3 BYG10KHE3/TR BYG10KHE3/TR3

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