BUK7618-55,118全国供应商 BUK7618-55,118资料|PDF Datasheet|价格【NXP 恩智浦半导体】

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说明
操作

BUK7618-55,118
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT404
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

BUK7618-55,118
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
NXP
原厂原装
1650+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

BUK7618-55,118
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
PHI
标准封装
13+
-
全新原装100%正品保证质量

BUK7618-55,118
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
PHI
标准封装
13+
-
全新原装100%正品保证质量

BUK7618-55,118
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
PHI
标准封装
13+
-
全新原装100%正品保证质量

BUK7618-55,118
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
D2PAK
18+
-
MOSFET N-CH 55V 57A ...

BUK7618-55,118
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
48000
NEXPERIA/安世
SOT404
-
授权代理/原厂FAE技术支持

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1

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功能描述
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BUK7618-55,118 技术参数

BUK7616-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 65.7A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:65.7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:16 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2245pF @ 25V 功率 - 最大值:138W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 BUK7615-100A,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6000pF @ 25V 功率 - 最大值:230W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 BUK76150-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 11A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:322pF @ 25V 功率 - 最大值:36W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 BUK7614-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:73A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2464pF @ 25V 功率 - 最大值:166W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 BUK7614-55,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 68A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:68A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2900pF @ 25V 功率 - 最大值:142W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:4,800 BUK7623-75A,118 BUK7624-55,118 BUK7624-55A,118 BUK7626-100B,118 BUK7628-100A,118 BUK7628-100A/C,118 BUK7628-55A,118 BUK762R0-40C,118 BUK762R0-40E,118 BUK762R4-60E,118 BUK762R6-40E,118 BUK762R6-60E,118 BUK762R7-30B,118 BUK762R9-40E,118 BUK7631-100E,118 BUK7635-100A,118 BUK7635-55A,118 BUK763R1-40B,118

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