BU808DFI(147Y)

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BU808DFI(147Y)
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
DALLAS
DIP8
15+
-
原装正品，假一罚十

BU808DFI(147Y)
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
99/00
-
假一罚十，百分百原装正品

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1

您是不是要找： BU810 BU8254KVT-E2 BU8255KVT-E2 BU8307CF-E2 BU-85 BU-85C BU8622KV-E2 BU-87-0 BU-87-2

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BU808DFI(147Y) 技术参数

BU808DFI 功能描述:TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:700V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.6V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:400μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5A，5V 功率 - 最大值:52W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:ISOWATT-218-3 供应商器件封装:ISOWATT-218 标准包装:300 BU807TU 功能描述:TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:60W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 BU807 功能描述:TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:60W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,200 BU806 功能描述:TRANS NPN DARL 200V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:200V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:60W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 BU8040GSW-E2 功能描述:IC LSI IR REMOTE CTRL BGA 制造商:rohm semiconductor 系列:* 零件状态:有效标准包装:3,000 BU8732AKV-E2 BU-87-4 BU-87-5 BU-87-6 BU8761KV BU8763FV-E2 BU8766FV-E2 BU8770AFV-E2 BU8772KN-E2 BU8788KN-E2 BU-87-9 BU8793KN-E2 BU87C51FC1SF76 BU8871F-E2 BU8872FS-E2 BU8874 BU8874F-E2 BU8899GU-E2