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BSO2N604L
优势
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865400
INFINEON
SOP-8
最新批号
-
代理此型号.原装正品现货！

BSO2N604L
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
5807
INFINEON
SOP-8
2024+
-
保证原装现货

BSO2N604L
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
762
INFINEON
SOP8
假一赔十！
-
绝对原装现货！

BSO2N604L
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
INFINEON
SOP8
10+
-
原装现货优势库存

BSO2N604L
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
INFINEO
SOP8
22+
-
全新原装现货供应

BSO2N604L
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
INFINEON
SOP8
08/09+
-
假一罚十，百分百原装正品

BSO2N604L
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
4503
INFINEON
SOP-8
1219+
-
原装现货/特价

BSO2N604L
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
INFINEON
原厂原装
18+
-
原装正品，优势供应

BSO2N604L
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
3000
INFINEON
SOP8
2012+
-
只做原装正品

BSO2N604L
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
INFINEON/英飞凌
SOP-8
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

BSO2N604L
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4902
INFINEON
SOP8
2211+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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BSO2N604L 技术参数

BSO220N03MSGXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 8.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:800pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO220N03MD G 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 7.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:800pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:1 BSO215C 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.7A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 3.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:246pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:2,500 BSO211PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.7A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:67 毫欧 @ 4.7A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23.9nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:920pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:P-DSO-8 标准包装:1 BSO211PHXUMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:67 毫欧 @ 4.6A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1095pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:PG-DSO-8 标准包装:2,500 BSO330N02KGFUMA1 BSO350N03 BSO4410 BSO4410T BSO4420 BSO4420T BSO4804 BSO4804HUMA2 BSO4804T BSO4822 BSO4822T BSO604NS2XUMA1 BSO612CV BSO612CVGHUMA1 BSO613SPV BSO613SPV G BSO613SPVGHUMA1 BSO615C G

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