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BAT63-02VE6327

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说明
操作

BAT63-02VE6327
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
INFINEON/英飞凌
SOD523
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述

BAT63-02VE6327 技术参数

BAT62E6327HTSA1 功能描述:RF Diode Schottky - 2 Independent 40V 20mA 100mW PG-SOT143-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基 - 2 个独立式电压 - 峰值反向（最大值）:40V 电流 - 最大值:20mA 不同?Vr，F 时的电容:0.6pF @ 0V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:100mW 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:PG-SOT143-4 标准包装:3,000 BAT6207WH6327XTSA1 功能描述:RF Diode Schottky - 2 Independent 40V 20mA 100mW PG-SOT343-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:肖特基 - 2 个独立式电压 - 峰值反向（最大值）:40V 电流 - 最大值:20mA 不同?Vr，F 时的电容:0.6pF @ 0V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:100mW 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:PG-SOT343-4 标准包装:1 BAT6207WE6327HTSA1 功能描述:RF Diode Schottky - 2 Independent 40V 20mA 100mW PG-SOT343-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:肖特基 - 2 个独立式电压 - 峰值反向（最大值）:40V 电流 - 最大值:20mA 不同?Vr，F 时的电容:0.6pF @ 0V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:100mW 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:PG-SOT343-4 标准包装:3,000 BAT6207L4E6433XTMA1 功能描述:RF Diode Schottky - 2 Independent 40V 20mA 100mW PG-TSLP-4 (1.2x0.8) 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:肖特基 - 2 个独立式电压 - 峰值反向（最大值）:40V 电流 - 最大值:20mA 不同?Vr，F 时的电容:0.6pF @ 0V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:100mW 封装/外壳:4-XFDFN 供应商器件封装:PG-TSLP-4（1.2x0.8）标准包装:50,000 BAT6207L4E6327XT 功能描述:RF Diode Schottky - 2 Independent 40V 20mA 100mW PG-TSLP-4 (1.2x0.8) 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停产二极管类型:肖特基 - 2 个独立式电压 - 峰值反向（最大值）:40V 电流 - 最大值:20mA 不同?Vr，F 时的电容:0.6pF @ 0V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:- 功率耗散（最大值）:100mW 封装/外壳:4-XFDFN 供应商器件封装:PG-TSLP-4（1.2x0.8）标准包装:15,000 BAT6405E6327HTSA1 BAT64-05-TP BAT6405WE6327HTSA1 BAT6405WH6327XTSA1 BAT6406E6327HTSA1 BAT6406WE6327HTSA1 BAT6406WH6327XTSA1 BAT64E6327HTSA1 BAT6804E6327HTSA1 BAT6804WE6327BTSA1 BAT6804WH6327XTSA1 BAT6806E6327HTSA1 BAT6806WE6327HTSA1 BAT6806WH6327XTSA1 BAT68E6327HTSA1 BAT720,215 BAT720,235 BAT721,215