BAS116TT1G全国供应商 BAS116TT1G资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

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说明
操作

BAS116TT1G
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
256
ON Semiconductor
标准封装
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

BAS116TT1G
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
2650
ON/安森美
NA
-
可订货，请确认

BAS116TT1G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
全新库存现货电话010-6210493...

BAS116TT1G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
ONSemiconductor
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BAS116TT1G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
91925
ON SEMICO
1521+
-
全新原装现货

BAS116TT1G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
2100
ON
ROHS
13+
-
全新原装现货库存！400-800-030...

BAS116TT1G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
6550
ON
ROHS
201311+
-
原装正品，现货库存！400-800-03...

BAS116TT1G
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
ON/安森美
SMD
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

BAS116TT1G
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4511
ON
new in original
2231+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

BAS116TT1G
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
18000
ON/安森美
SMD
20+
-
订货中可预订

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功能描述
二极管 - 通用，功率，开关 SS SC75 SWCH DIO 75V TR
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
产品
Switching Diodes
峰值反向电压
600 V
正向连续电流
200 A
最大浪涌电流
800 A
配置
恢复时间
2000 ns
正向电压下降
1.25 V
最大反向漏泄电流
300 uA
最大功率耗散
工作温度范围
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ISOTOP
封装
Tube

BAS116TT1G 技术参数

BAS116T-7-F 功能描述:Diode Standard 85V 215mA (DC) Surface Mount SOT-523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:85V 电流 - 平均整流（Io）:215mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 BAS116T-7 功能描述:Diode Standard 85V 215mA (DC) Surface Mount SOT-523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:85V 电流 - 平均整流（Io）:215mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-523 供应商器件封装:SOT-523 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 BAS116T,115 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 215MA SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:215mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:1 BAS116QAZ 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:300mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘供应商器件封装:DFN1010D-3 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 BAS116LYL 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 325MA 2DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:325mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-882 供应商器件封装:DFN1006-2 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:10,000 BAS16 BAS16 RFG BAS16,215 BAS16,235 BAS16_D87Z BAS16_L99Z BAS16_S00Z BAS1602LE6327XTMA1 BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602WH6327XTSA1 BAS1603WE6327HTSA1 BAS16-7 BAS16-7-F BAS16-D87Z BAS16D-E3-08 BAS16D-E3-18 BAS16D-G3-08 BAS16D-G3-18

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