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B65811P0000R092

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  • 功能描述
  • EMI/RFI 抑制器及铁氧体 RM8 LP N92 3100 +30%-20%
  • RoHS
  • 制造商
  • Fair-Rite
  • 产品
  • Ferrite Cores
  • 阻抗
  • 365 Ohms
  • 容差
  • 最大直流电流
  • 最大直流电阻
  • 工作温度范围
  • - 55 C to + 125 C
  • 封装 / 箱体
  • 端接类型
  • SMD/SMT
B65811P0000R092 技术参数
  • B65811P0000R087 功能描述:FERRITE CORE RM 4.1UH N87 2PCS 制造商:epcos (tdk) 系列:B65811P 零件状态:在售 内核类型:RM 电感因数(Al):4.1μH 容差:-20%,+30% 间隙:无缺口 有效磁导率 (μe):1440 初始磁导率(μi):2200 材料:N87 磁心因数(ΣI/A) mm-1:0.44 有效长度(e) mm:28.7 有效面积(Ae)mm2:64.9 最小磁心横截面(Amin)?mm2:55.4 有效磁体体积(Ve) mm3:1860 表面:无涂层 供应商器件封装:RM 8 LP 高度:5.80mm 长度:23.20mm 宽度:11.00mm 直径:- 标准包装:200 B65811P0000R049 功能描述:FERRITE CORE RM 2.9UH N49 2PCS 制造商:epcos (tdk) 系列:B65811P 零件状态:在售 内核类型:RM 电感因数(Al):2.9μH 容差:-20%,+30% 间隙:无缺口 有效磁导率 (μe):1020 初始磁导率(μi):1500 材料:N49 磁心因数(ΣI/A) mm-1:0.44 有效长度(e) mm:28.7 有效面积(Ae)mm2:64.9 最小磁心横截面(Amin)?mm2:55.4 有效磁体体积(Ve) mm3:1860 表面:无涂层 供应商器件封装:RM 8 LP 高度:5.80mm 长度:23.20mm 宽度:11.00mm 直径:- 标准包装:200 B65811JY38 功能描述:FERRITE CORE RM 12.5UH T38 制造商:epcos (tdk) 系列:B65811 零件状态:有效 内核类型:RM 电感因数(Al):12.5μH 容差:-30%,+40% 间隙:无缺口 有效磁导率 (μe):5910 初始磁导率(μi):2300 材料:T38 磁心因数(ΣI/A) mm-1:0.59 有效长度(e) mm:38 有效面积(Ae)mm2:64 最小磁心横截面(Amin)?mm2:55 有效磁体体积(Ve) mm3:2430 表面:无涂层 供应商器件封装:RM 8 高度:8.25mm 长度:23.20mm 宽度:11.00mm 直径:- 标准包装:200 B65811JR97 功能描述:FERRITE CORE RM 3.3UH N97 2PCS 制造商:epcos (tdk) 系列:B65811 零件状态:在售 内核类型:RM 电感因数(Al):3.3μH 容差:-20%,+30% 间隙:无缺口 有效磁导率 (μe):1560 初始磁导率(μi):2300 材料:N97 磁心因数(ΣI/A) mm-1:0.59 有效长度(e) mm:38 有效面积(Ae)mm2:64 最小磁心横截面(Amin)?mm2:55 有效磁体体积(Ve) mm3:2430 表面:无涂层 供应商器件封装:RM 8 高度:8.25mm 长度:23.20mm 宽度:11.00mm 直径:- 标准包装:200 B65811JR95 功能描述:FERRITE CORE 制造商:epcos (tdk) 系列:- 零件状态:有效 标准包装:200 B65812C1512T1 B65812C2005X B65812N1005D002 B65812N1005D1 B65812N1005D2 B65812N1008D002 B65812N1008D1 B65812N1012D002 B65812N1012D1 B65812N1108D002 B65812P1005D1 B65812P1008D1 B65812P1008D2 B65812P1012D001 B65812P1012D1 B65812P2203X B65812P2203X000 B65812S1108D2
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