2SC3356-TIB/R24

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2SC3356-TIB/R24
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
30000
RENESAS
SOT-23
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2SC3356-TIB/R24 技术参数

2SC3356-T1B-R25-A 功能描述:SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:新产品晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:11.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 2SC3356-T1B-R24-A 功能描述:SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:新产品晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:11.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 2SC3356-T1B-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 2SC3356-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:剪带零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:11.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:- 标准包装:1 2SC3332T-AA 功能描述:TRANS NPN 160V 0.7A NP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 25mA，250mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:700mW 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:3-NP 标准包装:1 2SC3506 2SC3507 2SC3519 2SC3519A 2SC3526H 2SC3583-A 2SC3583-T1B-A 2SC3585-A 2SC3585-T1B-A 2SC3601E 2SC3611 2SC3624-T1B-A 2SC3646S-P-TD-E 2SC3646S-TD-E 2SC3646T-P-TD-E 2SC3646T-TD-E 2SC3647S-TD-E 2SC3647T-TD-E