2N7002DW-7F

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2N7002DW-7F
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
1000
DIODES
SOT163
08PB
-
原装现货/特价

2N7002DW-7F
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3716
DIODES
SOT-363-6
2202+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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2N7002DW-7F 技术参数

2N7002DW-7 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:230mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:310mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:1 2N7002DW L6327 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:20pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:3,000 2N7002DW 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6 标准包装:1 2N7002-D87Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 基本零件编号:2N7002 标准包装:1 2N7002CKVL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:55pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:10,000 2N7002E-T1-E3 2N7002ET1G 2N7002E-T1-GE3 2N7002ET3G 2N7002F,215 2N7002-G 2N7002H-13 2N7002H6327XTSA2 2N7002H-7 2N7002-HF 2N7002K 2N7002K,215 2N7002K-7 2N7002K-T1-E3 2N7002KT1G 2N7002K-T1-GE3 2N7002KT3G 2N7002K-TP