2N5114JTXV02

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制造商
Vishay Siliconix
功能描述
TRANS JFET P-CH 3PIN TO-206AA - Bulk

2N5114JTXV02 技术参数

2N5114JTXL02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:- 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 标准包装:20 2N5114JTX02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:- 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 标准包装:20 2N5114JTVL02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:- 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 标准包装:20 2N5114JAN02 功能描述:JFET P-CH 30V TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:- 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 标准包装:40 2N5114-E3 功能描述:JFET P-CH 30V TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:- 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 标准包装:200 2N5116 2N5116-E3 2N5116JAN02 2N5116JTVL02 2N5116JTX02 2N5116JTXL02 2N5116JTXV02 2N5116UB 2N5151 2N5151L 2N5152 2N5152L 2N5154 2N5154L 2N5172 2N5172_D26Z 2N5172_D27Z 2N5172_D74Z