2N4416A-E3

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型号
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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2N4416A-E3
现货
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
78920
Vishay(威世)
TO-206AF，TO-72-4 金属罐
22+
-
原装现货库存优势价格出库

2N4416A-E3
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
8563
VISHAY/威世
AXIAL
2022
-
全新原装现货支持BOM表配单

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1

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功能描述
JFET 35V 5mA
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶体管极性
N-Channel
漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）
50 mA
漏源电压 VDS
15 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流
50 mA
配置
安装风格
封装 / 箱体
SC-59
封装
Reel

2N4416A-E3 技术参数

2N4416A-2 功能描述:MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:35V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:5mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:2.5V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 标准包装:20 2N4416A 功能描述:JFET N-CH 35V 0.3W TO-72 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:35V 漏源极电压（Vdss）:35V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:5mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:2.5V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-72 功率 - 最大值:300mW 标准包装:2,000 2N4416 功能描述:JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:5mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:3V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N4410_D75Z 功能描述:TRANS NPN 80V 0.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100μA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N4410_D74Z 功能描述:TRANS NPN 80V 0.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 100μA，1mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N4856JAN02 2N4856JTX02 2N4856JTXL02 2N4856JTXV02 2N4856UB 2N4857 2N4857JAN02 2N4857JTX02 2N4857JTXL02 2N4857JTXV02 2N4857UB 2N4858 2N4858A 2N4858JAN02 2N4858JTX02 2N4858JTXL02 2N4858JTXV02 2N4858UB